国星光电募资5亿加码LED芯片

　　国星光电(002449,前收盘价7.88元)今日公告称,公司拟向不超过10名特定投资者非公开发行不超过9055万股,发行价格不低于6.96元/股。此次,公司拟募集不超过6.3亿元资金投入国星半导体外延芯片项目(二期)(以下简称芯片二期)及补充流动资金。

　　预案显示,芯片二期项目总投资为6.2亿元,国星光电拟投入募集资金5亿元。项目建成后,将年产LED外延片4?10.5万片,2?40.5万片,大中芯片36.6亿粒,外延片全部用于生产芯片。项目建设期为15个月,预计达产后年可实现销售收入5.32亿元,税后净利润8347万元。

　　国星光电表示,此次非公开发行,将进一步夯实公司在LED行业“垂直一体化”的业务架构,提高公司封装产品的市场竞争力。

　　事实上,国星光电早在2012年便启动了芯片一期项目的建设工作。一期项目总投资10.39亿元,引进了20条MOCVD生产线及相应的芯片生产设备,并一次性建成了满足50条MOCVD生产线及相应的芯片生产设备使用的生产厂房。预计可形成年产外延片96万片、芯片63.36亿粒的生产能力。国星光电曾表示,经过调试和小批量生产后,公司预计9月底能够实现一期项目量产。

　　记者注意到,“高工LED”数据显示,截至2012年底,国内MOCVD数量已经达到917台,而去年全年MOCVD产能利用率仅三成左右,已经引发市场对芯片产能过剩的担忧。国星光电上述两期项目达产后,公司半导体整体芯片产能将达到每年100亿颗左右。这无疑将极大的考验公司未来的产能消化能力。